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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.491395 | ¥13.49 |
10 | ¥12.04502 | ¥120.45 |
100 | ¥9.394144 | ¥939.41 |
500 | ¥7.760591 | ¥3880.30 |
1000 | ¥6.126797 | ¥6126.80 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 45 mOhms, 80 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1.2 V
栅极电荷 7.9 nC, 8.9 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.9 ns, 16.9 ns
正向跨导(Min) 7.7 S, 5.9 S
上升时间 15.9 ns, 16.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16.4 ns, 15.7 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 6.4 ns
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0NTHD3102CT1G
型号:NTHD3102CT1G
品牌:ON
供货:锐单
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1+: | ¥13.491395 |
10+: | ¥12.04502 |
100+: | ¥9.394144 |
500+: | ¥7.760591 |
1000+: | ¥6.126797 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.49