货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.309949 | ¥16.31 |
10 | ¥14.580106 | ¥145.80 |
100 | ¥11.366303 | ¥1136.63 |
500 | ¥9.389586 | ¥4694.79 |
1000 | ¥7.862136 | ¥7862.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 760 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 16.6 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDD6N50TM_WS
单位重量 330 mg
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0FDD6N50TM-WS
型号:FDD6N50TM-WS
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.309949 |
10+: | ¥14.580106 |
100+: | ¥11.366303 |
500+: | ¥9.389586 |
1000+: | ¥7.862136 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.31