ALD1101PAL
库存 ：4
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥87.876386 | ￥87.88 |
| 10 | ￥79.331836 | ￥793.32 |
| 100 | ￥65.683649 | ￥6568.36 |
| 500 | ￥57.196224 | ￥28598.11 |
| 1000 | ￥50.319258 | ￥50319.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 50 Ohms, 50 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
其它
发货限制：
ALD1101PAL 同类别型号
注
ALD1101PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1101PAL
数据手册PDF。
ALD1101PAL
型号：ALD1101PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：4 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥87.876386 |
| 10+： | ￥79.331836 |
| 100+： | ￥65.683649 |
| 500+： | ￥57.196224 |
| 1000+： | ￥50.319258 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥87.88