IRF8313TRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF8313TRPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥2.69571 | ￥10782.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 21.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF8313TRPBF SP001577640
单位重量 540 mg
IRF8313TRPBF 同类别型号
注
IRF8313TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IRF8313TRPBF
数据手册PDF。
IRF8313TRPBF
型号：IRF8313TRPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥2.69571 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00