货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.032866 | ¥12.03 |
10 | ¥10.537873 | ¥105.38 |
100 | ¥8.081467 | ¥808.15 |
500 | ¥6.388358 | ¥3194.18 |
1000 | ¥5.110687 | ¥5110.69 |
2000 | ¥4.658178 | ¥9316.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 21.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF8313TRPBF SP001577640
单位重量 540 mg
购物车
0IRF8313TRPBF
型号:IRF8313TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.032866 |
10+: | ¥10.537873 |
100+: | ¥8.081467 |
500+: | ¥6.388358 |
1000+: | ¥5.110687 |
2000+: | ¥4.658178 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.03