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IXTH32N65X

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTH32N65X
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:30

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
30 45.281685 1358.45

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 32 A

漏源电阻 135 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 54 nC

耗散功率 500 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 28 ns

正向跨导(Min) 13 S

上升时间 49 ns

典型关闭延迟时间 58 ns

典型接通延迟时间 23 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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IXTH32N65X

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型号:IXTH32N65X

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

30+: ¥45.281685

货期:1-2天

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