货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.6558 | ¥1967.40 |
6000 | ¥0.641117 | ¥3846.70 |
9000 | ¥0.567851 | ¥5110.66 |
30000 | ¥0.56051 | ¥16815.30 |
75000 | ¥0.476304 | ¥35722.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.3 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMG3418L-7
型号:DMG3418L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.6558 |
6000+: | ¥0.641117 |
9000+: | ¥0.567851 |
30000+: | ¥0.56051 |
75000+: | ¥0.476304 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00