BSZ180P03NS3EGATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39.6 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 18 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ180P03NS3E G SP000709740
单位重量 38.760 mg
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注
BSZ180P03NS3EGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
BSZ180P03NS3EGATMA1
型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00