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制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.6 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 105 V
工作频率 1030 MHz to 1090 MHz
输出功率 700 W
通道数量 2 Channel
耗散功率 526 W
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
增益 19.2 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935346524178
单位重量 6.490 g
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0AFV10700HSR5
型号:AFV10700HSR5
品牌:NXP
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