货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.218262 | ¥20.22 |
10 | ¥16.526232 | ¥165.26 |
100 | ¥12.849271 | ¥1284.93 |
500 | ¥10.890988 | ¥5445.49 |
1000 | ¥8.871799 | ¥8871.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD35N10S3L-26 SP000386184
单位重量 330 mg
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0IPD35N10S3L26ATMA1
型号:IPD35N10S3L26ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.218262 |
10+: | ¥16.526232 |
100+: | ¥12.849271 |
500+: | ¥10.890988 |
1000+: | ¥8.871799 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.22