SI3460DDV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3460DDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：3244
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.096792 | ￥10.10 |
| 10 | ￥6.256952 | ￥62.57 |
| 100 | ￥4.01118 | ￥401.12 |
| 500 | ￥3.040666 | ￥1520.33 |
| 1000 | ￥2.727664 | ￥2727.66 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.9 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-GE3
单位重量 20 mg
SI3460DDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3460DDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI3460DDV-T1-GE3、查询SI3460DDV-T1-GE3代理商；
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替代型号
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数据手册PDF。
SI3460DDV-T1-GE3
型号：SI3460DDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3244 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.096792 |
| 10+： | ￥6.256952 |
| 100+： | ￥4.01118 |
| 500+： | ￥3.040666 |
| 1000+： | ￥2.727664 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.10