货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.061951 | ¥10.06 |
10 | ¥8.819004 | ¥88.19 |
100 | ¥6.760447 | ¥676.04 |
500 | ¥5.344672 | ¥2672.34 |
1000 | ¥4.275737 | ¥4275.74 |
2000 | ¥3.874916 | ¥7749.83 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 65 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 145 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 443 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
购物车
0TPN4R712MD,L1Q
型号:TPN4R712MD,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.061951 |
10+: | ¥8.819004 |
100+: | ¥6.760447 |
500+: | ¥5.344672 |
1000+: | ¥4.275737 |
2000+: | ¥3.874916 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.06