IXTH2R4N120P
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- 制造商编号：
- IXTH2R4N120P
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥53.192682 | ￥1595.78 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
IXTH2R4N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH2R4N120P
数据手册PDF。
IXTH2R4N120P
型号：IXTH2R4N120P
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥53.192682 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00