FDME1024NZT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥2.112493 | ￥10562.47 |
| 10000 | ￥2.033028 | ￥20330.28 |
| 25000 | ￥1.969503 | ￥49237.57 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.7 ns
正向跨导（Min） 9 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 25.200 mg
FDME1024NZT 同类别型号
注
FDME1024NZT品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDME1024NZT
数据手册PDF。
FDME1024NZT
型号：FDME1024NZT
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥2.112493 |
| 10000+： | ￥2.033028 |
| 25000+： | ￥1.969503 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00