货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥6.489187 | ¥1622.30 |
500 | ¥5.734627 | ¥2867.31 |
1250 | ¥4.52736 | ¥5659.20 |
2500 | ¥4.225507 | ¥10563.77 |
6250 | ¥4.014253 | ¥25089.08 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
购物车
0CSD22206WT
型号:CSD22206WT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥6.489187 |
500+: | ¥5.734627 |
1250+: | ¥4.52736 |
2500+: | ¥4.225507 |
6250+: | ¥4.014253 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00