货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.270717 | ¥17.27 |
10 | ¥15.382121 | ¥153.82 |
100 | ¥11.995073 | ¥1199.51 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
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0CSD22206WT
型号:CSD22206WT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.270717 |
10+: | ¥15.382121 |
100+: | ¥11.995073 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.27