货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.535735 | ¥7.54 |
10 | ¥6.611999 | ¥66.12 |
100 | ¥5.073251 | ¥507.33 |
500 | ¥4.010956 | ¥2005.48 |
1000 | ¥3.208764 | ¥3208.76 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 1.3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSR020N06HZGTL
型号:RSR020N06HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.535735 |
10+: | ¥6.611999 |
100+: | ¥5.073251 |
500+: | ¥4.010956 |
1000+: | ¥3.208764 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.54