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数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥2.638732 | ¥6596.83 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 4.2 A
漏源电阻 25 mOhms, 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.7 nC, 11.4 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 8.7 ns, 13.5 ns
上升时间 15 ns, 4.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.5 ns, 28.2 ns
典型接通延迟时间 11.2 ns, 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMHC3025LSD-13
型号:DMHC3025LSD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.638732 |
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