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DMHC3025LSD-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMHC3025LSD-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 2.638732 6596.83

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 4 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6 A, 4.2 A

漏源电阻 25 mOhms, 50 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 11.7 nC, 11.4 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Quad

下降时间 8.7 ns, 13.5 ns

上升时间 15 ns, 4.9 ns

晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 17.5 ns, 28.2 ns

典型接通延迟时间 11.2 ns, 7.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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DMHC3025LSD-13

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型号:DMHC3025LSD-13

品牌:DIODES

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