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ZXMN6A09KTC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN6A09KTC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 11.2 A

漏源电阻 40 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24.2 nC

耗散功率 10.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14.5 ns

上升时间 4.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32.5 ns

典型接通延迟时间 4.8 ns

外形参数

高度 2.39 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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型号:ZXMN6A09KTC

品牌:DIODES

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