货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.971717 | ¥8.97 |
10 | ¥7.775489 | ¥77.75 |
100 | ¥5.380538 | ¥538.05 |
500 | ¥4.495579 | ¥2247.79 |
1000 | ¥3.825941 | ¥3825.94 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3477DV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3477DV-T1-GE3
型号:SI3477DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.971717 |
10+: | ¥7.775489 |
100+: | ¥5.380538 |
500+: | ¥4.495579 |
1000+: | ¥3.825941 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.97