
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.722371 | ¥4.72 |
| 10 | ¥3.541779 | ¥35.42 |
| 25 | ¥3.097875 | ¥77.45 |
| 100 | ¥1.682345 | ¥168.23 |
| 250 | ¥1.673608 | ¥418.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.35 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25.4 ns
上升时间 6.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.4 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN2250UFB-7B
型号:DMN2250UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.722371 |
| 10+: | ¥3.541779 |
| 25+: | ¥3.097875 |
| 100+: | ¥1.682345 |
| 250+: | ¥1.673608 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.72