货期:(7~10天)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.611005 | ¥6110.05 |
30000 | ¥0.600256 | ¥18007.68 |
50000 | ¥0.539216 | ¥26960.80 |
100000 | ¥0.478055 | ¥47805.50 |
250000 | ¥0.467305 | ¥116826.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 11 ns
上升时间 2.5 ns, 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns, 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN53D0LDW-13
型号:DMN53D0LDW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.611005 |
30000+: | ¥0.600256 |
50000+: | ¥0.539216 |
100000+: | ¥0.478055 |
250000+: | ¥0.467305 |
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