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DMN53D0LDW-13

DIODES(美台)
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请参阅产品规格
制造商编号:
DMN53D0LDW-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
渠道:
digikey

库存 :36086

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.695289 4.70
10 3.867436 38.67
25 3.237278 80.93
100 1.581571 158.16
250 1.556365 389.09
500 1.319129 659.56
1000 0.91657 916.57
2500 0.851824 2129.56
5000 0.736789 3683.95

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 50 V

漏极电流 360 mA

漏源电阻 1.6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 600 pC

耗散功率 310 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 11 ns, 11 ns

上升时间 2.5 ns, 2.5 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns

典型接通延迟时间 2.7 ns, 2.7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg

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型号:DMN53D0LDW-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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单价:

1+: ¥4.695289
10+: ¥3.867436
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5000+: ¥0.736789

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