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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.695289 | ¥4.70 |
10 | ¥3.867436 | ¥38.67 |
25 | ¥3.237278 | ¥80.93 |
100 | ¥1.581571 | ¥158.16 |
250 | ¥1.556365 | ¥389.09 |
500 | ¥1.319129 | ¥659.56 |
1000 | ¥0.91657 | ¥916.57 |
2500 | ¥0.851824 | ¥2129.56 |
5000 | ¥0.736789 | ¥3683.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 11 ns
上升时间 2.5 ns, 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns, 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN53D0LDW-13
型号:DMN53D0LDW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.695289 |
10+: | ¥3.867436 |
25+: | ¥3.237278 |
100+: | ¥1.581571 |
250+: | ¥1.556365 |
500+: | ¥1.319129 |
1000+: | ¥0.91657 |
2500+: | ¥0.851824 |
5000+: | ¥0.736789 |
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单价:¥0.00总价:¥4.70