A2G22S190-01SR3
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- 制造商编号：
- A2G22S190-01SR3
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥651.252373 | ￥162813.09 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 GaN-on-Si
漏极电流 19 mA
漏源击穿电压 150 V
工作频率 1800 MHz to 2200 MHz
通道数量 1 Channel
栅极电压 - 8 V
栅源极阈值电压 - 2.3 V
规格参数
增益 16.5 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935372783118
A2G22S190-01SR3 同类别型号
注
A2G22S190-01SR3品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、A2G22S190-01SR3
数据手册PDF。
A2G22S190-01SR3
型号：A2G22S190-01SR3
品牌：NXP
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥651.252373 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00