货期: 8周-10周
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥9.101446 | ¥45507.23 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 26.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.2 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPL65R1K5C6S SP001163086
单位重量 76 mg
购物车
0IPL65R1K5C6SATMA1
型号:IPL65R1K5C6SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥9.101446 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00