SSM6N35FE,LM
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SSM6N35FE,LM
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
- 渠道：
- digikey
库存 ：3450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.286247 | ￥5.29 |
| 10 | ￥3.686087 | ￥36.86 |
| 100 | ￥1.861617 | ￥186.16 |
| 500 | ￥1.519011 | ￥759.51 |
| 1000 | ￥1.127115 | ￥1127.12 |
| 2000 | ￥0.948239 | ￥1896.48 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 20 Ohms, 20 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
SSM6N35FE,LM 同类别型号
注
SSM6N35FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SSM6N35FE,LM
数据手册PDF
。
SSM6N35FE,LM
型号：SSM6N35FE,LM
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：3450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.286247 |
| 10+： | ￥3.686087 |
| 100+： | ￥1.861617 |
| 500+： | ￥1.519011 |
| 1000+： | ￥1.127115 |
| 2000+： | ￥0.948239 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.29