货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.286408 | ¥5.29 |
10 | ¥3.686199 | ¥36.86 |
100 | ¥1.861673 | ¥186.17 |
500 | ¥1.519058 | ¥759.53 |
1000 | ¥1.127148 | ¥1127.15 |
2000 | ¥0.948268 | ¥1896.54 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 20 Ohms, 20 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6N35FE,LM
型号:SSM6N35FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.286408 |
10+: | ¥3.686199 |
100+: | ¥1.861673 |
500+: | ¥1.519058 |
1000+: | ¥1.127148 |
2000+: | ¥0.948268 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.29