SSM6N35AFE,LF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SSM6N35AFE,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥0.498965 | ￥1995.86 |
| 8000 | ￥0.47708 | ￥3816.64 |
| 12000 | ￥0.412594 | ￥4951.13 |
| 28000 | ￥0.404862 | ￥11336.14 |
| 100000 | ￥0.33527 | ￥33527.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 340 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.5 ns
正向跨导（Min） 0.5 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
SSM6N35AFE,LF 同类别型号
注
SSM6N35AFE,LF
型号：SSM6N35AFE,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥0.498965 |
| 8000+： | ￥0.47708 |
| 12000+： | ￥0.412594 |
| 28000+： | ￥0.404862 |
| 100000+： | ￥0.33527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00