货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.404337 | ¥7213.01 |
6000 | ¥2.277812 | ¥13666.87 |
9000 | ¥2.109088 | ¥18981.79 |
30000 | ¥2.08817 | ¥62645.10 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 16.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 32 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 47 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7232DN-GE3
单位重量 488.500 mg
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0SI7232DN-T1-GE3
型号:SI7232DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.404337 |
6000+: | ¥2.277812 |
9000+: | ¥2.109088 |
30000+: | ¥2.08817 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00