
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.435872 | ¥8.44 |
| 10 | ¥7.423567 | ¥74.24 |
| 100 | ¥5.688374 | ¥568.84 |
| 500 | ¥4.496969 | ¥2248.48 |
| 1000 | ¥3.597575 | ¥3597.57 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0DMN10H220LE-13
型号:DMN10H220LE-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.435872 |
| 10+: | ¥7.423567 |
| 100+: | ¥5.688374 |
| 500+: | ¥4.496969 |
| 1000+: | ¥3.597575 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.44