货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.958318 | ¥5874.95 |
6000 | ¥1.895238 | ¥11371.43 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 17 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8812DB-T2-E1
型号:SI8812DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.958318 |
6000+: | ¥1.895238 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00