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DMN10H220LE-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN10H220LE-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.357451 7.36
10 6.474557 64.75
100 4.961185 496.12
500 3.922087 1961.04
1000 3.13767 3137.67

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 2.3 A

漏源电阻 220 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.7 V

栅极电荷 8.3 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.6 ns

正向跨导(Min) -

上升时间 8.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 7.9 ns

典型接通延迟时间 6.8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 112 mg

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型号:DMN10H220LE-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥7.357451
10+: ¥6.474557
100+: ¥4.961185
500+: ¥3.922087
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