货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.357451 | ¥7.36 |
10 | ¥6.474557 | ¥64.75 |
100 | ¥4.961185 | ¥496.12 |
500 | ¥3.922087 | ¥1961.04 |
1000 | ¥3.13767 | ¥3137.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0DMN10H220LE-13
型号:DMN10H220LE-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.357451 |
10+: | ¥6.474557 |
100+: | ¥4.961185 |
500+: | ¥3.922087 |
1000+: | ¥3.13767 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.36