货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.550449 | ¥6.55 |
100 | ¥5.917073 | ¥591.71 |
1000 | ¥5.325365 | ¥5325.36 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI9R8C3XK SP000683086 IPI90R800C3XKSA1
单位重量 2.387 g
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0IPI90R800C3
型号:IPI90R800C3
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.550449 |
100+: | ¥5.917073 |
1000+: | ¥5.325365 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.55