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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 7.3 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 6.3 mm
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQU12N20TU_NL
单位重量 340 mg
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0FQU12N20TU
型号:FQU12N20TU
品牌:ON
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