IXTH86N25T
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- 制造商编号：
- IXTH86N25T
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-2
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥51.441572 | ￥1543.25 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 540 W
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench Gate
单位重量 6 g
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注
IXTH86N25T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH86N25T
数据手册PDF。
IXTH86N25T
型号：IXTH86N25T
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥51.441572 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00