货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.469485 | ¥5.47 |
10 | ¥4.083882 | ¥40.84 |
100 | ¥2.3142 | ¥231.42 |
500 | ¥1.532186 | ¥766.09 |
1000 | ¥1.174723 | ¥1174.72 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 360 pC
耗散功率 370 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMG6301UDW-7
型号:DMG6301UDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.469485 |
10+: | ¥4.083882 |
100+: | ¥2.3142 |
500+: | ¥1.532186 |
1000+: | ¥1.174723 |
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单价:¥0.00总价:¥5.47