FDS4935BZ
库存 ：76
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.239264 | ￥11.24 |
| 10 | ￥9.189025 | ￥91.89 |
| 100 | ￥7.151136 | ￥715.11 |
| 500 | ￥6.061793 | ￥3030.90 |
| 1000 | ￥4.93799 | ￥4937.99 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 187 mg
FDS4935BZ 同类别型号
注
FDS4935BZ品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDS4935BZ
数据手册PDF。
FDS4935BZ
型号：FDS4935BZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：76 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.239264 |
| 10+： | ￥9.189025 |
| 100+： | ￥7.151136 |
| 500+： | ￥6.061793 |
| 1000+： | ￥4.93799 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.24