货期:国内(1~3工作日)
起订量:150
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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150 | ¥573.641019 | ¥86046.15 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.4 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 65 V
工作频率 1805 MHz to 1880 MHz
输出功率 63 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
增益 16.6 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935346354128
单位重量 0.001 mg
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0A3T18H360W23SR6
型号:A3T18H360W23SR6
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
150+: | ¥573.641019 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00