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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
配置 Dual
晶体管极性 NPN, PNP
直流集电极 120
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V, 50 V
耗散功率 100 mW
集电极—基极电压 - 50 V, 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V, 5 V
最大直流电集电极电流 - 100 mA, 100 mA
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
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0RN4991FE,LF(CT
型号:RN4991FE,LF(CT
品牌:Toshiba
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