货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.579702 | ¥1739.11 |
6000 | ¥0.521732 | ¥3130.39 |
15000 | ¥0.463761 | ¥6956.41 |
30000 | ¥0.434777 | ¥13043.31 |
75000 | ¥0.385502 | ¥28912.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN32D4SDW-7
型号:DMN32D4SDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.579702 |
6000+: | ¥0.521732 |
15000+: | ¥0.463761 |
30000+: | ¥0.434777 |
75000+: | ¥0.385502 |
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