货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.366377 | ¥5.37 |
10 | ¥4.006895 | ¥40.07 |
100 | ¥2.269381 | ¥226.94 |
500 | ¥1.502586 | ¥751.29 |
1000 | ¥1.151983 | ¥1151.98 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 650 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN32D4SDW-7
型号:DMN32D4SDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.366377 |
10+: | ¥4.006895 |
100+: | ¥2.269381 |
500+: | ¥1.502586 |
1000+: | ¥1.151983 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.37