NTJD5121NT2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.586694 | ￥1760.08 |
| 6000 | ￥0.573569 | ￥3441.41 |
| 9000 | ￥0.508021 | ￥4572.19 |
| 30000 | ￥0.501459 | ￥15043.77 |
| 75000 | ￥0.426103 | ￥31957.73 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 295 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns
正向跨导（Min） 80 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NTJD5121NT2G 同类别型号
注
NTJD5121NT2G
型号：NTJD5121NT2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.586694 |
| 6000+： | ￥0.573569 |
| 9000+： | ￥0.508021 |
| 30000+： | ￥0.501459 |
| 75000+： | ￥0.426103 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00