DMG9N65CT
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- 制造商编号：
- DMG9N65CT
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 1.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 122 ns
典型接通延迟时间 39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
DMG9N65CT 同类别型号
注
DMG9N65CT品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMG9N65CT
数据手册PDF
。
DMG9N65CT
型号：DMG9N65CT
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00