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IPG20N06S4L26ATMA1

INFINEON(英飞凌)
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请参阅产品规格
制造商编号:
IPG20N06S4L26ATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
渠道:
digikey

库存 :17312

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.572999 15.57
10 12.744143 127.44
100 9.915285 991.53
500 8.404277 4202.14
1000 6.846119 6846.12
2000 6.444935 12889.87

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 20 A

漏源电阻 21 mOhms, 21 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 20 nC

耗散功率 33 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 10 ns

上升时间 1.5 ns, 1.5 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns

典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPG20N06S4L-26 SP000705588

单位重量 100 mg

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IPG20N06S4L26ATMA1

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型号:IPG20N06S4L26ATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:17312 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.572999
10+: ¥12.744143
100+: ¥9.915285
500+: ¥8.404277
1000+: ¥6.846119
2000+: ¥6.444935

货期:7-10天

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