
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.572999 | ¥15.57 |
| 10 | ¥12.744143 | ¥127.44 |
| 100 | ¥9.915285 | ¥991.53 |
| 500 | ¥8.404277 | ¥4202.14 |
| 1000 | ¥6.846119 | ¥6846.12 |
| 2000 | ¥6.444935 | ¥12889.87 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 21 mOhms, 21 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
上升时间 1.5 ns, 1.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-26 SP000705588
单位重量 100 mg
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0IPG20N06S4L26ATMA1
型号:IPG20N06S4L26ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.572999 |
| 10+: | ¥12.744143 |
| 100+: | ¥9.915285 |
| 500+: | ¥8.404277 |
| 1000+: | ¥6.846119 |
| 2000+: | ¥6.444935 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.57