货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.610466 | ¥4.61 |
10 | ¥3.252248 | ¥32.52 |
100 | ¥1.642322 | ¥164.23 |
500 | ¥1.455413 | ¥727.71 |
1000 | ¥1.13268 | ¥1132.68 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 295 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0NTJD5121NT2G
型号:NTJD5121NT2G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.610466 |
10+: | ¥3.252248 |
100+: | ¥1.642322 |
500+: | ¥1.455413 |
1000+: | ¥1.13268 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.61