货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.582183 | ¥13.58 |
10 | ¥11.114962 | ¥111.15 |
100 | ¥8.647739 | ¥864.77 |
500 | ¥7.329894 | ¥3664.95 |
1000 | ¥5.970928 | ¥5970.93 |
2000 | ¥5.62103 | ¥11242.06 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 21 mOhms, 21 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
上升时间 1.5 ns, 1.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-26 SP000705588
单位重量 100 mg
购物车
0IPG20N06S4L26ATMA1
型号:IPG20N06S4L26ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.582183 |
10+: | ¥11.114962 |
100+: | ¥8.647739 |
500+: | ¥7.329894 |
1000+: | ¥5.970928 |
2000+: | ¥5.62103 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.58