SI2306BDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2306BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.337186 | ￥7.34 |
| 10 | ￥6.22396 | ￥62.24 |
| 100 | ￥4.650259 | ￥465.03 |
| 500 | ￥3.654173 | ￥1827.09 |
| 1000 | ￥2.823678 | ￥2823.68 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.16 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2306BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2306BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2306BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2306BDS-T1-GE3
型号：SI2306BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.337186 |
| 10+： | ￥6.22396 |
| 100+： | ￥4.650259 |
| 500+： | ￥3.654173 |
| 1000+： | ￥2.823678 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.34