货期:(7~10天)
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥67.377397 | ¥2021.32 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 460 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 5.1 mm
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.500 g
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0IXFT26N60P
型号:IXFT26N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥67.377397 |
货期:7-10天
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