货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.598507 | ¥1.60 |
10 | ¥1.555303 | ¥15.55 |
30 | ¥1.526502 | ¥45.80 |
100 | ¥1.4977 | ¥149.77 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 20 mS
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 175 ns
典型接通延迟时间 65 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
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0SSM6P15FE(TE85L,F)
型号:SSM6P15FE(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.598507 |
10+: | ¥1.555303 |
30+: | ¥1.526502 |
100+: | ¥1.4977 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1.60