货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.731604 | ¥13.73 |
10 | ¥12.287418 | ¥122.87 |
100 | ¥9.577793 | ¥957.78 |
500 | ¥7.912244 | ¥3956.12 |
1000 | ¥6.24646 | ¥6246.46 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 22 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9926CDY-GE3
单位重量 187 mg
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0SI9926CDY-T1-GE3
型号:SI9926CDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.731604 |
10+: | ¥12.287418 |
100+: | ¥9.577793 |
500+: | ¥7.912244 |
1000+: | ¥6.24646 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.73