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SPD18P06PGBTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
SPD18P06PGBTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 4.323946 10809.87
5000 4.10771 20538.55
12500 3.953286 49416.07

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 18.6 A

漏源电阻 100 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 33 nC

耗散功率 80 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 4 S

上升时间 5.8 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 24.5 ns

典型接通延迟时间 12 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SPD18P06P G SP000443926

单位重量 330 mg

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SPD18P06PGBTMA1

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型号:SPD18P06PGBTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥4.323946
5000+: ¥4.10771
12500+: ¥3.953286

货期:1-2天

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