货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.323946 | ¥10809.87 |
5000 | ¥4.10771 | ¥20538.55 |
12500 | ¥3.953286 | ¥49416.07 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24.5 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD18P06P G SP000443926
单位重量 330 mg
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0SPD18P06PGBTMA1
型号:SPD18P06PGBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.323946 |
5000+: | ¥4.10771 |
12500+: | ¥3.953286 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00